lunes, 27 de diciembre de 2010

IBM avance circuito de memoria, lo que podría ser útil algún día

Noticias de interés ver en http://www.engadget.com/2010/12/27/ibm-makes-racetrack-memory-breakthrough-which-could-come-in-han/:
Si usted no puede decirle a su memoria DRAM de su STT-MRAM, tendrá que llevar con nosotros por un segundo: IBM descubrió las matemáticas necesarias para leer y escribir datos desde los espacios entre los campos magnéticos, las carreras a través de un nanocable, en cientos de kilómetros por hora. IBM ha estado perseverando en la llamada memoria racetrack desde 2004, llamándola el híbrido perfecto de almacenamiento magnéticos y flash, pero hasta hace poco los científicos no sabían si las paredes de dominio magnético (donde los datos se vive) había una masa de hablar de . Como resultado, lo hacen, y por lo tanto tiene que obedecer las leyes de la física pesada a medida que avanzan los nanocables "pista", pero también acelerar y desacelerar la misma cantidad, más o menos anulando el efecto. Larga historia corta, IBM puede utilizar este conocimiento para colocar con precisión los 1s y 0s en su banco de datos recién descubierta, y algún día todos vamos a cosechar los beneficios de la memoria densa, rápida y fiable. Ya sabes, si se asume la PRAM , FeRAM , ReRAM y memristores no comen el almuerzo de IBM. PR tras el descanso.

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IBM pone a la memoria avance pista de carreras, lo que podría ser útil algún día apareció originalmente en Engadget en Mon, 27 de diciembre 2010 11:36:00 EDT. Por favor, consulte nuestros términos de uso de los canales .

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