miércoles, 13 de octubre de 2010

Elpida y Sharp se unen para ReRAM en 2013: 10.000 veces la velocidad de los actuales chips de memoria flash NAND

Interesante noticia vista en http://www.engadget.com/2010/10/13/elpida-and-sharp-team-up-for-reram-in-2013-10-000x-the-speed-of/:
¿Quieres saber dónde está el próximo avance en la tecnología móvil se viene? Bueno, si Elpida y Sharp con la suya, la respuesta va a ser el sospechoso habitual de Japón, donde están trabajando fuera de chips de memoria nuevos dice que es capaz de cuatro órdenes de magnitud mayor rendimiento que el almacenamiento flash NAND ordinaria de hoy. Apodado ReRAM o resistiva de memoria de acceso aleatorio, este proyecto está dirigido a una fecha de 2013 para la comercialización y el recuento de la Universidad de Tokio y el Instituto Nacional Japonés de Ciencia Industrial Avanzada y Tecnología entre su equipo de desarrollo. Los detalles sobre cómo velocidades tan cegadora se alcanzará no están fácilmente disponibles, pero los informes de consumo de energía Nikkei será hasta "prácticamente cero" cuando la memoria no está en uso. Así que con ReRAM y de memristores HP tanto conjunto por tres años a partir de ahora, podemos programar el funeral de NAND para el 2014 o qué?

Elpida y Sharp se unen para ReRAM en 2013: 10.000 veces la velocidad de los actuales chips de memoria flash NAND apareció originalmente en Engadget el Mié, 13 de octubre 2010 04:47:00 EDT. Por favor, consulte nuestros términos de uso de los canales .

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